INFINEON IKP10N60T 单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
TrenchStop IGBT ，600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
### IGBT 分立件和模块，Infineon
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
额定功率 110 W
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 115 ns
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 110 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Alternative Energy, Other hard switching applications, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IKP10N60T Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRGB4060DPBF 英飞凌 | 类似代替 | IKP10N60T和IRGB4060DPBF的区别 |
IRG4BC20SD-SPBF 英飞凌 | 功能相似 | IKP10N60T和IRG4BC20SD-SPBF的区别 |
IRG4BC20SD-S 英飞凌 | 功能相似 | IKP10N60T和IRG4BC20SD-S的区别 |