IPA50R650CE概述
500V,6.1A,650mOhm,N沟道功率MOSFET
N-Channel 500V 6.1A Tc 27.2W Tc Through Hole PG-TO220-FP
得捷:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
500V,6.1A,650mOhm,N沟道功率MOSFET
IPA50R650CE中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 650 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 27.2W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 342pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27.2W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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