IPB80N06S3L-05参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB80N06S3L-05概述

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

IPB80N06S3L-05中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 165W Tc

输入电容 7.77 nF

栅电荷 170 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 49 ns

输入电容Ciss 13060pF @25VVds

额定功率Max 165 W

下降时间 41 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB80N06S3L-05

型号： IPB80N06S3L-05

描述：的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

替代型号IPB80N06S3L-05