IPI023NE7N3 G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPI023NE7N3 G概述

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

通孔 N 通道 75 V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

IPI023NE7N3 G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 75 V

输入电容Ciss 14400pF @37.5VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI023NE7N3 G

型号： IPI023NE7N3 G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3