IPI034NE7N3 G

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IPI034NE7N3 G概述

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

通孔 N 通道 75 V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3


DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3


IPI034NE7N3 G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 214 W

漏源极电压Vds 75 V

上升时间 85 nS

输入电容Ciss 8130pF @37.5VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI034NE7N3 G
型号: IPI034NE7N3 G
描述:MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

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