IPP065N04N G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPP065N04N G概述

MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

N-Channel 40V 50A Tc 68W Tc Through Hole PG-TO220-3

得捷:
MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

IPP065N04N G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 2800pF @20VVds

下降时间 3.6 nS

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IPP065N04N G

描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3