IRF7507TR概述
Micro N+P 20V 2.4A/1.7A
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.4A，1.7A 1.25W 表面贴装型 Micro8™
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
IRF7507TR中文资料参数规格
技术参数
额定电流 2.40 A
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.25 W
产品系列 IRF7507
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
输入电容Ciss 260pF @15VVds
额定功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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替代型号IRF7507TR
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