IRF7103Q参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRF7103Q图片1

IRF7103Q图片2

IRF7103Q图片3

IRF7103Q概述

SOIC N-CH 50V 3A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC

IRF7103Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 1.7 ns

输入电容Ciss 255pF @25VVds

额定功率Max 2.4 W

下降时间 2.3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7103Q

型号： IRF7103Q

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 50V 3A