IRF9952TR

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IRF9952TR概述

SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A

Mosfet Array 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC


IRF9952TR中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.5A/2.3A

输入电容Ciss 190pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF9952TR
型号: IRF9952TR
描述:SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A
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