SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A
Mosfet Array 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
得捷: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.5A/2.3A
输入电容Ciss 190pF @15VVds
额定功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
IRF9952TR
Infineon 英飞凌
当前型号
IRF9952TRPBF
英飞凌
类似代替