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IRF7379概述

SOIC N+P 30V 5.8A/4.3A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 5.8A，4.3A 2.5W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

IRF7379中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.8A/4.3A

输入电容Ciss 520pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7379

型号： IRF7379

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N+P 30V 5.8A/4.3A

替代型号IRF7379

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF7379 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF7379TRPBF 英飞凌	类似代替	IRF7379和IRF7379TRPBF的区别
7379 英飞凌	功能相似	IRF7379和7379的区别
RF737 英飞凌	功能相似	IRF7379和RF737的区别