IRF7389参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF7389概述

SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Low RDSon

.: Dynamic dv/dt Rating

.: Fast Switching

.: Dual N and P-Channel MOSFET

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

IRF7389中文资料参数规格

技术参数

额定电流 7.30 A

极性 N+P

产品系列 IRF7389

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.30 A

输入电容Ciss 650pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7389

型号： IRF7389

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A

替代型号IRF7389

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF7389 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF7319TRPBF 英飞凌	类似代替	IRF7389和IRF7319TRPBF的区别
IRF7389TRPBF 英飞凌	类似代替	IRF7389和IRF7389TRPBF的区别
IRF7389PBF 英飞凌	类似代替	IRF7389和IRF7389PBF的区别