SOIC N+P 30V 4A/3A
Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
得捷: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Win Source: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4A/3A
输入电容Ciss 520pF @15VVds
额定功率Max 1.4 W
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册