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IRF7756TR概述

TSSOP P-CH 12V 4.3A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 4.3A 1W 表面贴装型 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

Win Source:
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

IRF7756TR中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 4.3A

输入电容Ciss 1400pF @10VVds

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7756TR

型号： IRF7756TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：TSSOP P-CH 12V 4.3A