SOIC P-CH 20V 5.2A
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 5.2A 2.4W Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
贸泽:
MOSFET AUTO HEXFET SO-8
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
通道数 2
漏源极电阻 98 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2.4 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 5.2A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 913pF @15VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free