IRF9910

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IRF9910概述

SOIC N-CH 20V 10A/12A

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Low RDSON at 4.5V VGS
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Very Low Gate Charge
.
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
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Dual N-Channel MOSFET

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC


IRF9910中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 10A/12A

输入电容Ciss 900pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF9910
描述:SOIC N-CH 20V 10A/12A
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