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IRF8915TR概述

SOIC N-CH 20V 8.9A

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 8.9A 2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

IRF8915TR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 8.9A

输入电容Ciss 540pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF8915TR

型号： IRF8915TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 20V 8.9A

替代型号IRF8915TR

型号/品牌

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替代型号对比

IRF8915TR

Infineon 英飞凌

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当前型号

IRF8915TRPBF

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