INFINEON IDH08SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220
thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，
Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
降低的 EMI
立创商城:
600V 8A 1.8V@8A
得捷:
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2
艾睿:
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube
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Diode Schottky 600V 8A 2-Pin TO-220 Tube
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Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220
TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; 100W; PG-TO220-2
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Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube
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**S-Diode 600V 8A 2.10V TO220-2 **
罗切斯特:
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220
Win Source:
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2
额定功率 100 W
负载电流 8 A
正向电压 2.1V @8A
耗散功率 100 W
热阻 1.5℃/W RθJC
反向恢复时间 0 ns
正向电流 8 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 350 A
正向电压Max 2.1 V
正向电流Max 8 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IDH08SG60C Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDD08SG60CXTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IDH08SG60C和IDD08SG60CXTMA1的区别 |
IDD08SG60C 英飞凌 | 功能相似 | IDH08SG60C和IDD08SG60C的区别 |