IRF7506TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF7506TR概述

Micro P-CH 30V 1.7A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 1.7A 1.25W 表面贴装型 Micro8™

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.7A 8-Pin Micro T/R

IRF7506TR中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 180pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 9.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF7506TR

描述：Micro P-CH 30V 1.7A

替代型号IRF7506TR