IRF8915

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IRF8915概述

SOIC N-CH 20V 8.9A

Benefits:

.
RoHS Compliant
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Low RDSon
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Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
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Ultra-Low Gate Impedance
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Dual N-Channel MOSFET

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC


IRF8915中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 8.9A

输入电容Ciss 540pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF8915
描述:SOIC N-CH 20V 8.9A
替代型号IRF8915
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