SOIC N-CH 20V 8.9A
Benefits:
得捷: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 8.9A
输入电容Ciss 540pF @10VVds
额定功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
IRF8915
Infineon 英飞凌
当前型号
IRF8915TRPBF
英飞凌
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