IRF7343QTRPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF7343QTRPBF概述

SOIC N+P 55V 4.7A/3.4A

Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC T/R

Win Source:
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

IRF7343QTRPBF中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 4.7A/3.4A

输入电容Ciss 740pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRF7343QTRPBF

描述：SOIC N+P 55V 4.7A/3.4A