SOIC P-CH 55V 3.4A
Benefits:
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- RoHS Compliant
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- Low RDSon
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- Dynamic dv/dt Rating
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- Fast Switching
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- Dual P-Channel MOSFET
得捷:
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
额定电压DC -55.0 V
额定电流 -3.40 A
漏源极电阻 150 mΩ
极性 Dual P-Channel
耗散功率 2.00 W
产品系列 IRF7342
漏源极电压Vds 55.0 V
漏源击穿电压 -55.0 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 690pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7342 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7342TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7342和IRF7342TRPBF的区别 |
IRF7342PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7342和IRF7342PBF的区别 |
AUIRF7342QTR 英飞凌 | 类似代替 | IRF7342和AUIRF7342QTR的区别 |