IPG15N06S3L-45参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPG15N06S3L-45概述

的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 55V 15A 21W 表面贴装型 PG-TDSON-8-4

得捷:
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8

Win Source:
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8

IPG15N06S3L-45中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 15A

输入电容Ciss 1420pF @25VVds

额定功率Max 21 W

耗散功率Max 21 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8-4

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPG15N06S3L-45

型号： IPG15N06S3L-45

描述：的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor