INFINEON IPP126N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
立创商城:
IPP126N10N3 G
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3
儒卓力:
**N-CH 100V 58A 12.3mOhm TO220-3 **
针脚数 3
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 94 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1880pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 94 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99