IPA50R299CP中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1190pF @100VVds
额定功率Max 104 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPA50R299CP
型号： IPA50R299CP
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPA50R299CP. 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 299 mohm, 10 V, 3 V
替代型号IPA50R299CP
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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