IPP60R250CP

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IPP60R250CP概述

INFINEON  IPP60R250CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 12A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220


IPP60R250CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1200pF @100VVds

额定功率Max 104 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP60R250CP
型号: IPP60R250CP
描述:INFINEON  IPP60R250CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPP60R250CP
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Infineon 英飞凌

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STB18N55M5

意法半导体

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IPP60R250CP和STB18N55M5的区别

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