IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
立创商城:
IPD042P03L3 G
得捷:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
欧时:
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPD042P03L3 G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
贸泽:
MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
e络盟:
The IPD042P03L3 G is a -30V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**P-CH -30V -70A 4.2mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
通道数 1
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 167 ns
输入电容Ciss 12400pF @15VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD042P03L3 G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD042P03L3GATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD042P03L3 G和IPD042P03L3GATMA1的区别 |