IPB60R380C6

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IPB60R380C6概述

INFINEON  IPB60R380C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 600V 10.6A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263


欧时:
### Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
600V,10.6A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263


IPB60R380C6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 2

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 700pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPB60R380C6
型号: IPB60R380C6
描述:INFINEON  IPB60R380C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPB60R380C6
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