INFINEON IPB60R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 600V 10.6A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
欧时:
### Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
600V,10.6A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
通道数 1
针脚数 2
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 700pF @100VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-252-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPB60R380C6 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB120N06S4-H1 英飞凌 | 类似代替 | IPB60R380C6和IPB120N06S4-H1的区别 |
IPB45N06S4L-08 英飞凌 | 类似代替 | IPB60R380C6和IPB45N06S4L-08的区别 |
IPB120N06S4-02 英飞凌 | 功能相似 | IPB60R380C6和IPB120N06S4-02的区别 |