IPD060N03L G

INFINEON  IPD060N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 2.2 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD060N03L G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装

贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-252 T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab TO-252

Newark:
# INFINEON  IPD060N03L G  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 2.2 V

DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3