IS42S32800D-7BL

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IS42S32800D-7BL概述

256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


DeviceMart:
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 90BGA


IS42S32800D-7BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 150 mA

存取时间 7 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

宽度 8 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32800D-7BL
型号: IS42S32800D-7BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS

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