IPU60R2K0C6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 22.3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 2.4A
上升时间 7 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPU60R2K0C6
型号： IPU60R2K0C6
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPU60R2K0C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V