IPD25N06S2-40概述
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Summary of Features:
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- N-channel - Enhancement mode
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- Automotive AEC Q101 qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green package lead free
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- Ultra low Rdson
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- 100% Avalanche tested
Benefits:
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- world"s lowest RDS at 55V on in planar technology
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- highest current capability
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- lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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- robust packages with superior quality and reliability
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- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD25N06S2-40中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0286 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 29A
输入电容Ciss 513pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3-11
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3-11
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Lighting, Solenoids control, Single-ended motors
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPD25N06S2-40
型号： IPD25N06S2-40
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能