IDD04SG60C

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IDD04SG60C概述

INFINEON  IDD04SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252

XTMA1, SP000786804


e络盟:
碳化硅肖特基二极管, ThinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252


安富利:
Diode Schottky 600V 4A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 4A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; 43W; PG-TO252-3


Newark:
# INFINEON  IDD04SG60C  Silicon Carbide Schottky Diode, Sic, thinQ 3G 600V Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252


儒卓力:
**S-Diode 600V 4A 2.30V TO252-3 **


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3


IDD04SG60C中文资料参数规格
技术参数

额定功率 43 W

负载电流 4 A

反向恢复时间 0 ns

正向电流 4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 18 A

正向电压Max 2.3 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IDD04SG60C
型号: IDD04SG60C
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IDD04SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252
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