INFINEON IDD04SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252
XTMA1, SP000786804
e络盟:
碳化硅肖特基二极管, ThinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252
安富利:
Diode Schottky 600V 4A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 4A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; 43W; PG-TO252-3
Newark:
# INFINEON IDD04SG60C Silicon Carbide Schottky Diode, Sic, thinQ 3G 600V Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252
儒卓力:
**S-Diode 600V 4A 2.30V TO252-3 **
Win Source:
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
额定功率 43 W
负载电流 4 A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 4 A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 18 A
正向电压Max 2.3 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IDD04SG60C Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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