INFINEON IDD03SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252
thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，
Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
降低的 EMI
额定功率 38 W
负载电流 3 A
正向电压 2.3V @3A
耗散功率 38 W
反向恢复时间 0 ns
正向电流 3 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 11.5 A
正向电压Max 2.3 V
正向电流Max 3 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 38000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IDD03SG60C Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDD03SG60CXTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IDD03SG60C和IDD03SG60CXTMA1的区别 |