IPD60R380C6

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IPD60R380C6概述

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 600V 10.6A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3


欧时:
### Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab TO-252


儒卓力:
**N-CH 600V 10,6A 380mOhm TO252-3 **


力源芯城:
600V,10.6A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252


IPD60R380C6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 700pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Alternative Energy, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Lighting, Power Management, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPD60R380C6
型号: IPD60R380C6
描述:Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPD60R380C6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD60R380C6

Infineon 英飞凌

当前型号

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IPD60R380C6ATMA1

英飞凌

完全替代

IPD60R380C6和IPD60R380C6ATMA1的区别

IPD50R650CEATMA1

英飞凌

类似代替

IPD60R380C6和IPD50R650CEATMA1的区别

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