IS41LV16100B-50TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS41LV16100B-50TL概述

16M, EDO DRAM, Async, 1Mx16, 50ns, 4450 Pin TSOP II 400 mil, RoHS

DRAM - EDO Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 25ns 44-TSOP II

得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

Chip1Stop:
DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II

IS41LV16100B-50TL中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 180 mA

存取时间 50.0 ns

内存容量 16000000 B

存取时间Max 50 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

IS41LV16100B-50TL引脚图与封装图

在线购买IS41LV16100B-50TL

型号： IS41LV16100B-50TL

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：16M, EDO DRAM, Async, 1Mx16, 50ns, 4450 Pin TSOP II 400 mil, RoHS