IS41LV16100B-50KLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS41LV16100B-50KLI概述

动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns

DRAM - EDO Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 25ns 42-SOJ

得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

贸泽:
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns

Chip1Stop:
DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 3.3V 42-Pin SOJ

IS41LV16100B-50KLI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 180 mA

存取时间 50 ns

内存容量 16000000 B

存取时间Max 50 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 42

封装 SOJ-42

外形尺寸

长度 27.43 mm

宽度 10.29 mm

高度 2.61 mm

封装 SOJ-42

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IS41LV16100B-50KLI引脚图与封装图

在线购买IS41LV16100B-50KLI

型号： IS41LV16100B-50KLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns