IS42S16800E-75EBLI

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IS42S16800E-75EBLI概述

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 133MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


IS42S16800E-75EBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 130 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16800E-75EBLI
型号: IS42S16800E-75EBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 128M 8Mx16 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
替代型号IS42S16800E-75EBLI
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