IS42S16800E-75ETL-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16800E-75ETL-TR概述

IC SDRAM 128Mbit 133MHz 54TSOP

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
DRAM 128M 8Mx16 133MHz SDRAM, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R

IS42S16800E-75ETL-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.22 mm

宽度 10.16 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16800E-75ETL-TR

型号： IS42S16800E-75ETL-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：IC SDRAM 128Mbit 133MHz 54TSOP

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替代型号IS42S16800E-75ETL-TR

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