IS42S32200E-6TL-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S32200E-6TL-TR概述

动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 86-TSOP II

得捷:
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v

安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R

Verical:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R

Win Source:
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 86TSOP

IS42S32200E-6TL-TR中文资料参数规格

技术参数

供电电流 160 mA

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TSOP-86

外形尺寸

长度 22.22 mm

宽度 10.16 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S32200E-6TL-TR

型号： IS42S32200E-6TL-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v

替代型号IS42S32200E-6TL-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S32200E-6TL-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S32200L-6TL-TR Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S32200E-6TL-TR和IS42S32200L-6TL-TR的区别
MT48LC2M32B2P-6:G TR 镁光	功能相似	IS42S32200E-6TL-TR和MT48LC2M32B2P-6:G TR的区别
MT48LC2M32B2P5G 镁光	功能相似	IS42S32200E-6TL-TR和MT48LC2M32B2P5G的区别