IS42S16800E-6BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16800E-6BLI概述

DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGA

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
DRAM 128M 8Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

IS42S16800E-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 150 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16800E-6BLI

型号： IS42S16800E-6BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGA

替代型号IS42S16800E-6BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S16800E-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S16800F-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S16800E-6BLI和IS42S16800F-6BLI的区别
IS42S16800E-6BL Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S16800E-6BLI和IS42S16800E-6BL的区别
IS45S16800F-7BLA2 Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S16800E-6BLI和IS45S16800F-7BLA2的区别