IS42VM32200K-75BLI-TR

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IS42VM32200K-75BLI-TR概述

Cache DRAM Module, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 133 MHz 6 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R


IS42VM32200K-75BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 6ns, 8ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42VM32200K-75BLI-TR
型号: IS42VM32200K-75BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Cache DRAM Module, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90
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IS42VM32200K-75BLI-TR和IS42VM32200M-75BLI-TR的区别

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