IS42SM32800E-6BLI

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IS42SM32800E-6BLI概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM - 移动 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42SM32800E-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 95 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42SM32800E-6BLI
型号: IS42SM32800E-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA
替代型号IS42SM32800E-6BLI
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Integrated Silicon SolutionISSI

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