IS42SM16800G-6BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42SM16800G-6BLI概述

128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

SDRAM - 移动存储器 IC 128Mb（8M x 16）并联 54-TFBGA（8x8）

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz 3.3V Mobile SDR

Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

IS42SM16800G-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 60 mA

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42SM16800G-6BLI

型号： IS42SM16800G-6BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

替代型号IS42SM16800G-6BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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