IS42SM32800E-6BLI-TR

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IS42SM32800E-6BLI-TR概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 8M x 32 3.3V 90Pin TFBGA T/R

SDRAM - 移动 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


IS42SM32800E-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42SM32800E-6BLI-TR
型号: IS42SM32800E-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 8M x 32 3.3V 90Pin TFBGA T/R
替代型号IS42SM32800E-6BLI-TR
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Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42SM32800K-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42SM32800E-6BLI-TR和IS42SM32800K-6BLI-TR的区别

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