IS42VM16160E-75BLI

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IS42VM16160E-75BLI概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54Pin TFBGA

SDRAM - 移动 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


IS42VM16160E-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 60 mA

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42VM16160E-75BLI
型号: IS42VM16160E-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54Pin TFBGA
替代型号IS42VM16160E-75BLI
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Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42VM16160E-75BLI和IS42VM16160K-75BLI的区别

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