IS43DR16160A-3DBLI

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IS43DR16160A-3DBLI概述

256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS, IT

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
DRAM 256M 16Mx16 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM


Win Source:
32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM | IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA


IS43DR16160A-3DBLI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43DR16160A-3DBLI
型号: IS43DR16160A-3DBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS, IT
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