IS42VM16800G-6BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42VM16800G-6BLI概述

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR

SDRAM - 移动存储器 IC 128Mb（8M x 16）并联 166 MHz 5.5 ns 54-TFBGA（8x8）

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR

Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA

IS42VM16800G-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 60 mA

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42VM16800G-6BLI

型号： IS42VM16800G-6BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz 1.8V Mobile SDR

替代型号IS42VM16800G-6BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42VM16800G-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42VM16800H-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS42VM16800G-6BLI和IS42VM16800H-6BLI的区别
IS42S16800F-7BLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42VM16800G-6BLI和IS42S16800F-7BLI的区别
IS42S16800E-7BL Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42VM16800G-6BLI和IS42S16800E-7BL的区别