IGW25T120

IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

• 极低 VCEsat

• 低关闭损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最高接点温度 175°C

立创商城:
IGW25T120

得捷:
IGW25T120 - DISCRETE IGBT WITHOU

欧时:
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，电压 1100 至 1600V一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V • 极低 VCEsat • 低关闭损耗 • 短尾线电流 • 低 EMI • 最高接点温度 175°C### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 190W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 1200V 50A 190W TO247-3