IPP90R1K2C3

IPP90R1K2C3图片1
IPP90R1K2C3图片2
IPP90R1K2C3图片3
IPP90R1K2C3图片4
IPP90R1K2C3图片5
IPP90R1K2C3图片6
IPP90R1K2C3图片7
IPP90R1K2C3图片8
IPP90R1K2C3图片9
IPP90R1K2C3图片10
IPP90R1K2C3图片11
IPP90R1K2C3图片12
IPP90R1K2C3概述

INFINEON  IPP90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 900V 5.1A


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-220 Tube


儒卓力:
**N-CH 900V 5,1A 1200mOhm TO220 **


力源芯城:
900V,5.1A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220


IPP90R1K2C3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.94 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.1A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPP90R1K2C3
型号: IPP90R1K2C3
描述:INFINEON  IPP90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPP90R1K2C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPP90R1K2C3

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPP90R1K0C3

英飞凌

类似代替

IPP90R1K2C3和IPP90R1K0C3的区别

IPW90R1K2C3

英飞凌

功能相似

IPP90R1K2C3和IPW90R1K2C3的区别

IPI90R1K2C3

英飞凌

功能相似

IPP90R1K2C3和IPI90R1K2C3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台