INFINEON IPP90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 900V 5.1A
得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-220 Tube
儒卓力:
**N-CH 900V 5,1A 1200mOhm TO220 **
力源芯城:
900V,5.1A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.94 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.1A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPP90R1K2C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP90R1K0C3 英飞凌 | 类似代替 | IPP90R1K2C3和IPP90R1K0C3的区别 |
IPW90R1K2C3 英飞凌 | 功能相似 | IPP90R1K2C3和IPW90R1K2C3的区别 |
IPI90R1K2C3 英飞凌 | 功能相似 | IPP90R1K2C3和IPI90R1K2C3的区别 |