IPW50R190CE概述
INFINEON IPW50R190CE 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
N-Channel 500 V 24.8A Tc 152W Tc Through Hole PG-TO247-3-41
得捷:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
立创商城:
N沟道 500V 24.8A
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
力源芯城:
500V,18.5A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
IPW50R190CE中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 18.5A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 1137pF @100VVds
额定功率Max 127 W
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 127W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPW50R190CE
型号： IPW50R190CE
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPW50R190CE 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V